FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V
功率 - 最大值:200mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs