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BSS138NH6327 / MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
BSS138NH6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:230 mA

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Qg-栅极电荷:1 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:8.2 ns

正向跨导 - 最小值:0.2 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:3 ns

系列:BSS138

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:6.7 ns

典型接通延迟时间:2.3 ns

零件号别名:BSS138NH6327XT BSS138NH6327XTSA2 SP000919330

供应商BSS138NH6327
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BSS138NH6327Infineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel3,000 : $0.0412
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BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-31:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
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BSS138NH6327Infineon Technologies AG60V,230MA,N-channel Power MOSFET1 : $0.07
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BSS138NH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.4V @ 26uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 230mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道5+:¥0.419311
50+:¥0.314753
150+:¥0.295549
500+:¥0.24871
2500+:¥0.241028
5000+:¥0.237232