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BSS138-TP /N-CHANNELMOSFETSOT-23
BSS138-TP的规格信息
BSS138-TP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)220mA

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)3.5 欧姆 @ 220mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)1.5V @ 1mA

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)60pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散(最大值)350mW

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23

封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商BSS138-TP
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
BSS138-TP连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道MCC(美微科)MCC(美微科)的LOGO643.57 Kbytes共4页BSS138-TP的PDF下载地址
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BSS138-TPMCC(美微科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.083967
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