包装标准卷带

系列SIPMOS®

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）500 欧姆 @ 16mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.6V @ 8µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）2.1nC @ 5V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）28pF @ 25V

FET 功能耗尽模式

功率耗散（最大值）500mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3