制造商:Comchip Technology

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:190 mA

Rds On-漏源导通电阻:5.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:100 V

Qg-栅极电荷:2.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

端接类型:SMD/SMT

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Comchip Technology

产品类型:MOSFET

上升时间:15.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.2 ns

典型接通延迟时间:4.2 ns