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BSS123W /MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
BSS123W的规格信息
BSS123W的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:170 mA

Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2 mm

系列:BSS123W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:80 mS

下降时间:5.73 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.24 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.4 ns

典型接通延迟时间:2.94 ns

单位重量:5 mg

供应商BSS123W
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18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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芯莱德电子(香港)有限公司BSS123W深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司BSS123W深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳博睿鹏成科技有限公司BSS123W深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
13510558532
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSS123W深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BSS123W深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司BSS123W-7-F深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司BSS123W龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城BSS123W深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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BSS123W及相关型号的PDF资料
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BSS123WN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO152.36 Kbytes共4页BSS123W的PDF下载地址
BSS123WN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO67.49 Kbytes共3页BSS123W的PDF下载地址FDP7030L,NDP4060,NDP6051,NDP710A,NDS8410S,NDS9957,CEFF640,CEM8410,CEP6030L,CEP7060L
BSS123WN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO216.64 Kbytes共6页BSS123W的PDF下载地址
BSS123W RFG表面贴装型 N 通道 100 V 160mA(Ta) 298mW(Ta) SOT-323Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO393.14 Kbytes共6页BSS123W RFG的PDF下载地址
BSS123W_0711N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO152.36 Kbytes共4页BSS123W_0711的PDF下载地址
BSS123W_1N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO92.42 Kbytes共4页BSS123W_1的PDF下载地址CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,CEM2108,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A
BSS123W_15N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO231.12 Kbytes共5页BSS123W_15的PDF下载地址
BSS123W-7MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO433.97 Kbytes共5页BSS123W-7的PDF下载地址
BSS123W-7-FN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO92.42 Kbytes共4页BSS123W-7-F的PDF下载地址CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,CEM2108,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A
BSS123W-7-FN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO152.36 Kbytes共4页BSS123W-7-F的PDF下载地址
BSS123WQ-7-FMOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mADiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO398.62 Kbytes共5页BSS123WQ-7-F的PDF下载地址
BSS123WQ-7-FMOSFET N-CH 100V 170MA SOT323Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO408.73 Kbytes共5页BSS123WQ-7-F的PDF下载地址
BSS123WQ-7-F连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO408.73 Kbytes共5页BSS123WQ-7-F的PDF下载地址
BSS123W的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
BSS123W-7-FDiodes IncMOSFET N-Channel 100V 0.17A SOT323+500:$0.16
+1000:$0.13
+3000:$0.12
+6000:$0.10
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Am2
BSS123W-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.33000+:¥0.31+:¥1.8
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Arrow(艾睿)
BSS123W-7-FDIODES ZETEX3000+:¥0.33000+:¥0.31+:¥0.41
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Avnet Express
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedBSS FAMILY SOT323 T&R 3K - Tape and Reel价格未公开
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
RoHS : Compliant
25 : $0.288
500 : $0.122
2,000 : $0.0804
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ChipOneStop
BSS123W-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mW3000+:¥0.3
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
BSS123W-7-FDiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mW3000+:¥0.3
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
BSS123WON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 170MA SC70$0.43000
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Digi-Key 得捷电子
BSS123WTaiwan Semiconductor Corporation100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO$0.57000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SC70-315,000 : $0.064
6,000 : $0.072
3,000 : $0.08
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Digi-Key 得捷电子
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SOT323$0.40000
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Digi-Key 得捷电子
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 170MA SOT323$0.36000
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Future Electronics
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedN-Channel 100 V 10 O Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0454
9,000 : $0.0446
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BSS123W-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mW3000+:¥0.33000+:¥0.3
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Future(富昌)
BSS123W-7-FDiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mW3000+:¥0.33000+:¥0.3
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Mouser 贸泽电子
BSS123WON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW1:¥3.5369
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedBSS FAMILY SOT323 T&R 3K$0.0405
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BSS123WON(安森美)预售新品1+:¥1.134939
200+:¥0.439207
500+:¥0.423772
1000+:¥0.416145
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BSS123W-7-FDIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道10+:¥0.381489
100+:¥0.287923
300+:¥0.270738
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立创商城
BSS123WQ-7-FDIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 170mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道5+:¥0.465961
50+:¥0.355083
150+:¥0.334718
500+:¥0.314352
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5000+:¥0.300829