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BSS123,215 /MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
BSS123,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:150 mA

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 mW (1/4 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOS Transistor

宽度:1.4 mm

商标:Nexperia

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

零件号别名:BSS123 T/R

单位重量:8 mg

供应商BSS123,215
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深圳市坤融电子有限公司BSS123,215航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSS123,215深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市高捷半导体有限公司BSS123,215深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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芯莱德电子(香港)有限公司BSS123,215深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419
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深圳市星宇佳科技有限公司BSS123,215深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BSS123,215深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市水星电子有限公司BSS123,215地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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BSS123,215MOSFET N-CH 100V 150MA TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO139.63 Kbytes共5页BSS123,215的PDF下载地址
BSS123,215连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.8V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO139.63 Kbytes共5页BSS123,215的PDF下载地址
BSS123,215的全球分销商及价格
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BSS123,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A3000+:¥0.44
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BSS123,215Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB$0.24000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
BSS123,215NexperiaMOSFET N-CH TRNCH 100V .15A1:¥2.5312
10:¥1.6724
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BSS123,215Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.8V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道10+:¥0.219147
100+:¥0.165255
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