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BSP613PH6327XTSA1 /MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
BSP613PH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP613

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.7 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:6.7 ns

零件号别名:BSP613P H6327 SP001058788

单位重量:112 mg

供应商BSP613PH6327XTSA1
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BSP613PH6327XTSA1MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO382.13 Kbytes共9页BSP613PH6327XTSA1的PDF下载地址
BSP613PH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO382.13 Kbytes共9页BSP613PH6327XTSA1的PDF下载地址
BSP613PH6327XTSA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
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BSP613PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-31:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
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BSP613PH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:P沟道1+:¥7.08
10+:¥5.3
30+:¥4.97
100+:¥4.64
500+:¥4.5
1000+:¥4.42