FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：33nC

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：875pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 2.9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SOT223-4

封装/外壳：PG-SOT223-4

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs