晶体管类型：PNP - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1.8V @ 1mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：2000 @ 500mA，10V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT223

供应商器件封装：PG-SOT223-4

晶体管类型：PNP

最大连续集电极电流：1 A

最大集电极-发射极电压：45 V

最大发射极-基极电压：5 V

封装类型：SOT-223

引脚数目：3 + Tab

晶体管配置：单

每片芯片元件数目：1

最小直流电流增益：1000

最大基极-发射极饱和电压：2.2 V

最大集电极-基极电压：60 V

最大集电极-发射极饱和电压：1.8 V

最大集电极-基极截止电流：10µA

尺寸：6.5 x 3.5 x 1.6mm

最高工作温度：+150 °C

宽度：3.5mm

高度：1.6mm

长度：6.5mm

最大功率耗散：1.5 W

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs