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BSP318SH6327XTSA1 /MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
BSP318SH6327XTSA1的规格信息
BSP318SH6327XTSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP318

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.4 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSP318S H6327 SP001058838

单位重量:112 mg

供应商BSP318SH6327XTSA1
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深圳市拓亿芯电子有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077
刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市科思奇电子科技有限公司BSP318SH6327XTSA1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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13923432237
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深圳市赛美科科技有限公司BSP318SH6327XTSA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSP318SH6327XTSA1华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市安富世纪电子有限公司BSP318SH6327XTSA1深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳和润天下电子科技有限公司BSP318SH6327XTSA1深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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BSP318SH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO354.53 Kbytes共9页BSP318SH6327XTSA1的PDF下载地址
BSP318SH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO415.83 Kbytes共9页BSP318SH6327XTSA1的PDF下载地址
BSP318SH6327XTSA1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
BSP318SH6327XTSA1InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A1000+:¥1.831+:¥4.12
10+:¥3.1
100+:¥1.95
1000+:¥1.6701
2000+:¥1.59
10000+:¥1.46
25000+:¥1.42
50000+:¥1.39
100000+:¥1.34991000+:¥1.451+:¥1.41
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ChipOneStop
BSP318SH6327XTSA1InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A1000+:¥1.831+:¥4.12
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Digi-Key 得捷电子
BSP318SH6327XTSA1InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A1000+:¥1.83
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Digi-Key 得捷电子
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4$0.87000
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Mouser 贸泽电子
BSP318SH6327XTSA1InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A1000+:¥1.831+:¥4.12
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100+:¥1.95
1000+:¥1.6701
2000+:¥1.59
10000+:¥1.46
25000+:¥1.42
50000+:¥1.39
100000+:¥1.3499
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-31:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
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Verical
BSP318SH6327XTSA1InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A1000+:¥1.831+:¥4.12
10+:¥3.1
100+:¥1.95
1000+:¥1.6701
2000+:¥1.59
10000+:¥1.46
25000+:¥1.42
50000+:¥1.39
100000+:¥1.34991000+:¥1.451+:¥1.411+:¥1.21
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立创商城
BSP318SH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥2.97
10+:¥2.19
30+:¥2.05
100+:¥1.9
500+:¥1.84
1000+:¥1.81