包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列SIPMOS®

零件状态停產

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）430mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）4 欧姆 @ 430mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 370µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15.1nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）262pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）1.8W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-SOT223-4

封装/外壳TO-261-4，TO-261AA