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BSP300H6327XUSA1 /MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
BSP300H6327XUSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:190 mA

Rds On-漏源导通电阻:20 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP300

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:60 mS

下降时间:21 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:BSP300 H6327 SP001058720

单位重量:112 mg

供应商BSP300H6327XUSA1
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BSP300H6327XUSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):190mA 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:20Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO390.14 Kbytes共9页BSP300H6327XUSA1的PDF下载地址
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BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-31:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
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BSP300H6327XUSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):190mA 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:20Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥13.17
10+:¥9.89
30+:¥9.29
100+:¥8.69
500+:¥8.42
1000+:¥8.29