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BSO080P03NS3EG / MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
BSO080P03NS3EG的规格信息
BSO080P03NS3EG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:- 14.8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

Qg-栅极电荷:- 61 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DSO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:19 ns

正向跨导 - 最小值:44 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:47 ns

系列:OptiMOS 3P3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:64 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSO080P03NS3EGXT BSO080P03NS3EGXUMA1 SP000472992

供应商BSO080P03NS3EG
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