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BSN20,215 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
BSN20,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):173mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 100mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):25pF @ 10V

功率 - 最大值:830mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

其它名称:568-1658-2934012500215BSN20 T/RBSN20215

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13380394549
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BSN20,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRNCH 50V 173MA1+:¥2.44
10+:¥1.71
100+:¥0.6699
1000+:¥0.51
3000+:¥0.51
9000+:¥0.4801
24000+:¥0.46
45000+:¥0.46
99000+:¥0.441+:¥0.28
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Future(富昌)
BSN20,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRNCH 50V 173MA1+:¥2.44
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Mouser 贸泽电子
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Verical
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