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BSN20BKR /MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
BSN20BKR的规格信息
BSN20BKR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:265 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.49 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:402 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:5.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.5 ns

典型接通延迟时间:7.9 ns

单位重量:8 mg

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BSN20BKRMOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO733.42 Kbytes共16页BSN20BKR的PDF下载地址
BSN20BKR连续漏极电流(Id)(25°C 时):265mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO733.42 Kbytes共16页BSN20BKR的PDF下载地址
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BSN20BKRNexperiaMOSFET 60V N-channel Trench MOSFET1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
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BSN20BKRNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):265mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道20+:¥0.131943
200+:¥0.099159
600+:¥0.093138
2000+:¥0.087117
10000+:¥0.08444
20000+:¥0.083118