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BSM50GD120DN2E3226 /IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
BSM50GD120DN2E3226的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

Pd-功率耗散:350 W

封装 / 箱体:EconoPACK 2

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:17 mm

长度:107.5 mm

宽度:45.5 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366

供应商BSM50GD120DN2E3226
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10:¥997.4623
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