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BSM50GB120DN2 /IGBT 模块 1200V 50A DUAL
BSM50GB120DN2的规格信息
BSM50GB120DN2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:78 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

Pd-功率耗散:400 W

封装 / 箱体:Half Bridge1

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:30.5 mm

长度:94 mm

宽度:34 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922

供应商BSM50GB120DN2
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BSM50GB120DN2IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO112.38 Kbytes共9页BSM50GB120DN2的PDF下载地址BSM100GB170DN2,BSM150GB120DN2,BSM150GB170DN2,BSM200GB120DN2,BSM25GB120DN2,BSM400GB60DN2,BSM50GB170DN2,BSM75GB120DN2,BSM75GB170DN2,BSM100GB120DN2
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BSM50GB120DN2Infineon TechnologiesIGBT 模块 1200V 50A DUAL1:¥580.4471
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BSM50GB120DN2Infineon Technologies AGIGBT Module 1200V 78A Half-Bridge价格未公开