图像仅供参考,请参阅规格书
产品IGBT Silicon Modules
配置Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO1700 V
在25 C的连续集电极电流800 A
最大工作温度+ 125 C
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
工厂包装数量10