FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：950mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 950mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 1.6µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.32nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：63pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-SOT363-6

供应商器件封装：PG-SOT363-6

通道类型：N

最大连续漏极电流：950 mA

最大漏源电压：20 V

最大漏源电阻值：600 m0hms

最大栅阈值电压：1.2V

最小栅阈值电压：0.7V

最大栅源电压：-12 V、+12 V

封装类型：SOT-363 (SC-88)

引脚数目：6

晶体管配置：隔离式

通道模式：增强

类别：小信号

最大功率耗散：500 mW

高度：0.8mm

尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm

每片芯片元件数目：2

系列：OptiMOS 2

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：0.32 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：49 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：4.5 ns

典型接通延迟时间：3.8 ns

宽度：1.25mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：2mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs