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BSD223PH6327XTSA1 /MOSFET P-Ch DPAK-2
BSD223PH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:390 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:- 500 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 mW (1/4 W)

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:BSD223

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:350 mS

下降时间:3.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5.1 ns

典型接通延迟时间:3.8 ns

零件号别名:BSD223P BSD223PH6327XT H6327 SP000924074

单位重量:300 mg

供应商BSD223PH6327XTSA1
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