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BSD235CH6327XTSA1 /MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
BSD235CH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:950 mA, 530 mA

Rds On-漏源导通电阻:350 mOhms, 1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV, 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:340 pC, - 400 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:BSD235

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:700 mS, 2 S

下降时间:1.2 ns, 3.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.6 ns, 5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.5 ns, 5.1 ns

典型接通延迟时间:3.8 ns, 3.8 ns

零件号别名:BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610

单位重量:7.500 mg

供应商BSD235CH6327XTSA1
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BSD235CH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):950mA,530mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 1.6uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 950mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO521.81 Kbytes共13页BSD235CH6327XTSA1的PDF下载地址
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BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V SOT363$0.40000
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BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-61:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
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BSD235CH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):950mA,530mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 1.6uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 950mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.896
10+:¥1.4361
30+:¥1.3516
100+:¥1.2671
500+:¥1.2296
1000+:¥1.211