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BSC066N06NS /MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC066N06NS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:64 A

Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:46 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:32 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:BSC066N06NSATMA1 SP001067000

单位重量:100 mg

供应商BSC066N06NS
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BSC066N06NSInfineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
5,000:¥3.5934
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BSC066N06NSInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):64A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.3V @ 20uA 漏源导通电阻:6.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥4.88
10+:¥3.68
30+:¥3.46
100+:¥3.078
500+:¥2.983
1000+:¥2.9355