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BSC057N08NS3G / MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:5.7 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:9 ns

正向跨导 - 最小值:80 S, 40 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GXT SP000447542

供应商BSC057N08NS3G
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BSC057N08NS3G的全球分销商及价格
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BSC057N08NS3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.6956
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BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON$1.80000
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Mouser 贸泽电子
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 31:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2659
5,000:¥7.2659
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BSC057N08NS3GInfineon Technologies AGREF: SP000447542500 : $0.84
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Wuhan P&S
BSC057N08NS3GInfineon Technologies AG80V,100A,N-channel power MOSFET1 : $1.71
100 : $1.34
1,000 : $1.1
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立创商城
BSC057N08NS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 73uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥7.39
10+:¥5.55
30+:¥5.21
100+:¥4.87
500+:¥4.72
1000+:¥4.65
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立创商城
BSC057N08NS3GATMA1Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥6.57
10+:¥4.95
30+:¥4.66
100+:¥4.142
500+:¥4.0185
1000+:¥3.952