系列：OptiMOS™

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：17.7A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：81nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：6020pF @ 15V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TDSON-8

封装形式Package：TDSON

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：17.7A

漏源电压（Vdss）：30V

供应商器件封装：PG-TDSON-8

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

无铅情况/RoHs：否