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BSC050N04LSGATMA1 /MOSFET N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC050N04LSGATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:85 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:47 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:4.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:6.4 ns

零件号别名:BSC050N04LS BSC5N4LSGXT G SP000354806

单位重量:119.100 mg

供应商BSC050N04LSGATMA1
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC050N04LSGATMA1www.nowchip.com0755-27381274
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BSC050N04LSGATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 27uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO520.57 Kbytes共10页BSC050N04LSGATMA1的PDF下载地址
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BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 31:¥6.3054
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1,000:¥2.8815
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BSC050N04LSGATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 27uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥12.83
10+:¥9.64
30+:¥9.05
100+:¥8.47
500+:¥8.21
1000+:¥8.08