FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：52.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7800pF @ 10V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 50A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：PG-TDSON-8

通道类型：N

最大连续漏极电流：100 A

最大漏源电压：20 V

最大漏源电阻值：4.5 m0hms

最大栅阈值电压：1.2V

最小栅阈值电压：0.7V

最大栅源电压：-12 V、+12 V

封装类型：TDSON

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.8 W

高度：1.1mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：6.35 x 5.35 x 1.1mm

宽度：5.35mm

系列：OptiMOS 2

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：40 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：5900 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：52 ns

典型接通延迟时间：21 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：6.35mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs