FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：37A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：68nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4300pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），96W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.1 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：PG-TDSON-8

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

通道类型：N

最大连续漏极电流：100 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：0.0014 0hms

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TDSON

晶体管配置：单

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：96 W

最高工作温度：+150 °C

长度：6.1mm

最低工作温度：-55 °C

高度：1.1mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：160S

正向二极管电压：0.56V

系列：OptiMOS

尺寸：6.1 x 5.35 x 1.1mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：34 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：4300 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：35 ns

典型接通延迟时间：6.4 ns

宽度：5.35mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs