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BSC009NE2LS5IATMA1 /MOSFET LV POWER MOS
BSC009NE2LS5IATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:950 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:74 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:BSC009NE2LS5I SP001212434

单位重量:100 mg

供应商BSC009NE2LS5IATMA1
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BSC009NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.27 Mbytes共12页BSC009NE2LS5IATMA1的PDF下载地址
BSC009NE2LS5IATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:0.95mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.54 Mbytes共13页BSC009NE2LS5IATMA1的PDF下载地址
BSC009NE2LS5IATMA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON$2.24000
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
5,000:¥6.5992
10,000:查看
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:0.95mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥16.61
10+:¥14.39
30+:¥13.98
100+:¥13.57
500+:¥13.39
1000+:¥13.16