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BSC010N04LSATMA1 /MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1的规格信息
BSC010N04LSATMA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:133 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:139 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:140 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSC010N04LS SP000928282

单位重量:100 mg

供应商BSC010N04LSATMA1
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深圳市威雅利发展有限公司BSC010N04LSATMA1 MOS(场效应管)华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市域立航科技有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
18802682975,13828773170
唐小姐,朱先生Email:1279179098@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司BSC010N04LSATMA1航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
集好芯城BSC010N04LSATMA1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城BSC010N04LSATMA1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯泽盛世科技有限公司BSC010N04LSATMA1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSC010N04LSATMA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市水星电子有限公司BSC010N04LSATMA1地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市赛美科科技有限公司BSC010N04LSATMA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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BSC010N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.28 Mbytes共13页BSC010N04LSATMA1的PDF下载地址
BSC010N04LSATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:1mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.61 Mbytes共14页BSC010N04LSATMA1的PDF下载地址
BSC010N04LSATMA1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
BSC010N04LSATMA1InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET MV POWER MOS5000+:¥7.1999
10000+:¥6.92
25000+:¥6.81
50000+:¥6.641+:¥13.67
10+:¥10.93
100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.16
2500+:¥7.49
5000+:¥7.42
10000+:¥7.13
25000+:¥7.091+:¥11.23
10+:¥11.08
50+:¥10.87
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500+:¥8.92
1000+:¥8.341+:¥7.39
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON$2.56000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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10+:¥10.93
100+:¥8.78
500+:¥8.78
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS1:¥17.7523
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100:¥12.0684
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1,000:¥8.6784
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Verical
BSC010N04LSATMA1InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET MV POWER MOS5000+:¥7.1999
10000+:¥6.92
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30+:¥7.48
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1000+:¥6.54