BRI5N50
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
BRI5N50的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W
类型N沟道
BRI5N50
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| BRI5N50 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 | BLUE ROCKET(蓝箭) |  | 745.45 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
BRI5N50的全球分销商及价格
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10+:￥0.6624
30+:￥0.6165
100+:￥0.5706
500+:￥0.5502
1000+:￥0.5401
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