BRI2N60
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
BRI2N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)
类型N沟道
BRI2N60
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BRI2N60 | N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package | FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.] | ![FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/1065FOSHAN.GIF) | 796.06 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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