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BRI2N60 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
BRI2N60的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)

类型N沟道

供应商BRI2N60
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BRI2N60BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.9065
10+:¥0.6816
30+:¥0.6403
100+:¥0.599
500+:¥0.5806
1000+:¥0.5716