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BRFL7N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道
BRFL7N65的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.3Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)

类型N沟道

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BRFL7N65连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道BLUE ROCKET(蓝箭)BLUE ROCKET(蓝箭)的LOGO838.70 Kbytes共7页BRFL7N65的PDF下载地址
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BRFL7N65BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.29
10+:¥0.966
30+:¥0.906
100+:¥0.846
500+:¥0.816
1000+:¥0.804