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BRF10N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
BRF10N65的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9.5A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻850mΩ @ 4.75A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型N沟道

供应商BRF10N65
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BRF10N65BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.63
10+:¥1.91
30+:¥1.78
100+:¥1.64
500+:¥1.58
1000+:¥1.56