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BRF7N80 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道
BRF7N80的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)800V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻1.9Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)56W(Tc)

类型N沟道

供应商BRF7N80
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10+:¥2.69
30+:¥2.52
100+:¥2.34
500+:¥2.26
1000+:¥2.23