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BLF578 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200W, HF-500MHz
BLF578的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:88 A

Vds-漏源极击穿电压:110 V

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :11 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT502B

封装:Bulk

最小工作温度:- 65 C

类型:RF Power MOSFET

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万三科技(深圳)有限公司BLF578深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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BLF578,112RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539AAmpleon USA Inc.Ampleon USA Inc.的LOGO1.24 Mbytes共14页BLF578,112的PDF下载地址
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BLF578XR,112RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539AAmpleon USA Inc.Ampleon USA Inc.的LOGO1.18 Mbytes共15页BLF578XR,112的PDF下载地址
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BLF578的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
BLF578XR,112NXP Semiconductors其它 * 未定义的类别60+:¥2098.15991+:¥2325.68
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BLF578,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥2287.46
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BLF578,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥2287.46
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BLF578XR,112NXP Semiconductors其它 * 未定义的类别60+:¥2098.1599
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BLF578XRS,112Ampleon USA Inc.RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B$324.00000
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element14 Asia-Pacific
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Mouser 贸泽电子
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