制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

增益:13 dB

输出功率:2 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-172D

封装:Bulk

商标:NXP Semiconductors

最小工作温度:- 65 C

工作频率:500 MHz

Pd-功率耗散:10 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V