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BLF3G21-30 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
BLF3G21-30的规格信息
BLF3G21-30的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:4.5 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 15 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LDMOST-3

封装:Tube

最小工作温度:- 65 C

工厂包装数量:20

类型:RF Power MOSFET

零件号别名:BLF3G21-30,112

供应商BLF3G21-30
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