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BFP740FH6327XTSA1 /Infineon BFP740FH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 4引脚 TSFP封装
BFP740FH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):4.7V

频率 - 跃迁:42GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益:27.5dB

功率 - 最大值:160mW

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 25mA,3V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TSFP-4-1

供应商器件封装:4-TSFP

最大直流集电极电流:30 mA

最大集电极-发射极电压:4 V

封装类型:TSFP

最大功率耗散:160 mW

最小直流电流增益:160

晶体管配置:

最大集电极-基极电压:13 V

最大发射极-基极电压:1.2 V

最大工作频率:42 GHz

引脚数目:4

每片芯片元件数目:1

尺寸:1.4 x 0.8 x 0.55mm

宽度:0.8mm

高度:0.55mm

最低工作温度:-65 °C

最高工作温度:+150 °C

长度:1.4mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BFP740FH6327XTSA1
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BFP740FH6327XTSA1射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.23 Mbytes共28页BFP740FH6327XTSA1的PDF下载地址
BFP740FH6327XTSA1RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFPInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO521.31 Kbytes共22页BFP740FH6327XTSA1的PDF下载地址
BFP740FH6327XTSA1集电极电流Ic:30mA 额定功率:160mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:4.7VInfineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.48 Mbytes共28页BFP740FH6327XTSA1的PDF下载地址
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BFP740FH6327XTSA1Infineon Technologies射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR1:¥3.6838
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