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BFP640ESDH6327XTSA1 /BFP640ESD Series 4.7 V Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
BFP640ESDH6327XTSA1的规格信息
BFP640ESDH6327XTSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN

电压-集射极击穿(最大值):4.7V

频率-跃迁:46GHz

噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益:7dB ~ 30dB

功率-最大值:200mW

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):110 @ 30mA,3V

电流-集电极(Ic)(最大值):50mA

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT343

供应商器件封装:SOT-343

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BFP640ESDH6327XTSA1
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BFP640ESDH6327XTSA1深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯幂科技有限公司BFP640ESDH6327XTSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市振钰科技有限公司BFP640ESDH6327XTSA1深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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BFP640ESDH6327XTSA1射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.16 Mbytes共28页BFP640ESDH6327XTSA1的PDF下载地址
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BFP640ESDH6327XTSA1Infineon TechnologiesRF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343$0.66000
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BFP640ESDH6327XTSA1Infineon Technologies射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS1:¥4.3844
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