晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：5V

频率 - 跃迁：30GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

增益：20dB

功率 - 最大值：250mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 20mA，3.5V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80mA

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TSFP-4-1

供应商器件封装：4-TSFP

最大直流集电极电流：80 mA

最大集电极-发射极电压：10 V

封装类型：TSFP

最大功率耗散：250 mW

最小直流电流增益：50

晶体管配置：单

最大发射极-基极电压：1 V

引脚数目：4

每片芯片元件数目：1

高度：0.55mm

宽度：0.8mm

最高工作温度：+150 °C

晶体管材料：Si

尺寸：1.4 x 0.8 x 0.55mm

长度：1.4mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs