图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流:10 mA
Vds-漏源极击穿电压:3 V
Rds On-漏源导通电阻:12 Ohms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :7 V
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-143R
商标:NXP Semiconductors
类型:RF Small Signal MOSFET