制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:25 mA

Vds-漏源极击穿电压:8 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :3 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143-4

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.03 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET