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BF1009SR / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BF1009SR的规格信息
BF1009SR的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:25 mA

Vds-漏源极击穿电压:12 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :3 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143-4

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.03 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET

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深圳市坤融电子有限公司BF1009SR航都大厦10I0755-23990975
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