FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 5V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：480pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 11A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
资格：AEC-Q101
封装：CutTape
高度：4.4mm
长度：10mm
宽度：9.25mm
封装/外壳：TO-263-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs