FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3810pF @ 25V

功率耗散（最大值）：140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.9 毫欧 @ 42A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252AA）

封装/外壳：DPAK

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：130A

Rds On-漏源导通电阻：6.5mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：16V

Qg-栅极电荷：40nC

配置：Single

Pd-功率耗散：140W

资格：AEC-Q101

封装：Tube

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs