FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：92nC @ 10V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1870pF @ 25V

功率耗散（最大值）：120W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252AA）

封装/外壳：DPAK

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：61A

Rds On-漏源导通电阻：12mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3V

Vgs - 栅极-源极电压：16V

Qg-栅极电荷：61nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：120W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

封装：Tube

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：42S

下降时间：100ns

上升时间：51ns

典型关闭延迟时间：83ns

典型接通延迟时间：7.4ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs