封装/外壳：DPAK

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：185 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：440pF @ 25V

功率耗散（最大值）：48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252AA）

通道类型：N

最大连续漏极电流：10 A

最大漏源电压：100 V

最大漏源电阻值：265 m0hms

最大栅阈值电压：2V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-16 V、+16 V

封装类型：DPAK (TO-252)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：48 W

高度：2.39mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.39mm

宽度：6.22mm

系列：HEXFET

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：20 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：440 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：23 ns

典型接通延迟时间：4 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

长度：6.73mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs