产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

标准包装：80

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：15.6nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：510pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223