封装/外壳：TO220

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3290pF @ 25V

功率耗散（最大值）：180W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

通道类型：N

最大连续漏极电流：75 A, 116 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：7 m0hms

最大栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-16 V、+16 V

封装类型：TO-220AB

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：130 W

长度：10.67mm

尺寸：10.67 x 4.83 x 9.02mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：60 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：3290 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：23 ns

典型接通延迟时间：11 ns

宽度：4.83mm

系列：HEXFET

高度：9.02mm

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs